Intel анонсировала NVMe SSD 665p

Компания Intel подготовила к выпуску несколько новых продуктов, ориентированных на сферу хранения данных. Одной из новинок стал твердотельный накопитель 665p, который пришел на смену устройству 660p.

NVMe-накопитель Intel SSD 665p выполнен в формате M.2 2280. ОН основан на 4-канальном контроллере Silicon Motion SM2263, содержит кэш-буфер DRAM и чипы 96-слойной флэш-памяти 3D NAND с четырьмя битами на ячейку (QLC). Передача данных осуществляется через линии PCI Express 3.0. Предлагаются модели емкостью 512 ГБ, 1 ТБ и 2 ТБ.

Переход с 64-слойных чипов в предшественнике на 96-слойные версии позволил повысить производительность. На мероприятии Intel Memory and Storage Day, прошедшем в Южной Корее, состоялся формальный дебют семейства твердотельных накопителей Intel SSD 665p. Intel провела наглядную демонстрацию возможностей новинки. Для этого использовались два одинаковых ноутбука ASUS, которые отличались лишь используемым накопителем. В обоих случаях емкость накопителя составляла 1 ТБ. Утилита CrystalDiskMark зафиксировала, что модель Intel SSD 665p по сравнению с Intel SSD 660p демонстрирует прирост скорости последовательных чтения/записи примерно на 40%, а прирост производительности в случайных операциях составляет около 30%.

Твердотельный накопитель Intel SSD 665p поступит в продажу в ближайшие месяцы, но точные сроки и ориентировочная цена различных моделей пока не сообщаются.

Кроме того, компания рассказала о своих дальнейших планах по выпуску твердотельных накопителей. Так, в следующем году планируется вывести на рынок SSD для центров обработки данных, изготовленные на базе 144-слойных чипов 3D NAND QLC.

Кроме того, инженеры компании работают над флэш-памятью NAND PLC (Penta Level Cell), способной хранить пять бит информации в одной ячейке. Эти устройства получат дизайн ячеек с плавающим затвором, который обеспечивает более высокую надежность хранения данных по сравнению с ловушкой заряда, используемой большинством конкурентов.

Вместе с тем, в недрах Intel идет разработка энергонезависимой памяти 3D XPoint второго поколения. Их производство будет осуществляться на заводах Fab 11X в Рио-Ранчо (штат Нью-Мексико, США) и Fab 68 в китайском городе Далянь. Но это будет еще не скоро. Как минимум до осени 2020 года Intel будет использовать чипы 3D XPoint первого поколения, производством которых занимается компания Micron.

 

 

 

Источник