Гонки по вертикали

Компания Micron Technology официально объявила о начале отгрузки заказчикам первых в мире чипов флеш-памяти, которые базируется на 176-слойной 3D NAND.

176-слойная NAND-память Micron устанавливает новую планку для отрасли, поскольку количество слоев почти на 40% выше, чем у наших ближайших конкурентов, — заявил Скотт ДеБоер (Scott DeBoer), исполнительный вице-президент по технологиям и продуктам Micron. В сочетании с архитектурой Micron CMOS-under-array эта технология демонстрирует лидерство Micron в сегменте. Отметим, что CMOS-under-array (CuA) предусматривает использование в CMOS дополнительного  металлооксидного полупроводника. В новой разработке также реализованы, так называемые, ловушки заряда вместо традицонных плавающих затворов.

176-слойная NAND-память Micron представляет собой пятое поколение 3D NAND и второе поколение архитектуры с замещающим затвором. По сравнению с предыдущим поколением 3D NAND компании представленная разработка уменьшает задержку чтения и записи более чем на 35%, что должно заметно сказываться на производительности приложений. Кроме того, размер кристалла примерно на 30% меньше, чем у лучших в своем классе чипов. Благодаря компактному дизайну 176-слойной NAND-памяти Micron идеально подходит для решений с малым форм-фактором.

176-слойная NAND-память Micron обеспечит революционные инновации в продуктах для наших клиентов, — отметил Сумит Садана (Sumit Sadana), исполнительный вице-президент и главный коммерческий директор Micron. Мы внедряем эту технологию в наш широкий портфель продуктов и нацелены на то, чтобы обеспечить необходимый рост в сегментах — 5G, AI, облачных вычислениях и интеллектуальной периферии.

Благодаря универсальному дизайну и высокой плотности 176-слойная NAND-память Micron станет важным строительным блоком в самых разных направлениях индустрии, включая мобильные хранилища, автономные системы, автомобильные информационно-развлекательные системы, а также твердотельные накопители для ЦОД и клиентского использования.

176-слойная память NAND от Micron обеспечивает улучшенное качество обслуживания (QoS), что является критически важным при проектировании центров обработки данных. Это позволит ускорить работу сред с интенсивным использованием данных и рабочих нагрузок, таких как озера данных, задачи искусственного интеллекта и аналитика больших данных. Для смартфонов 5G улучшенное качество обслуживания QoS может обеспечить более быстрый запуск и переключение между несколькими приложениями, улучшая пользовательский опыт и обеспечивая реальную многозадачность, а также полноценное использование сетей 5G с низкой задержкой.

Пятое поколение 3D NAND от Micron также имеет лидирующую в отрасли характеристики — максимальную скорость передачи данных 1600 пересылок в секунду (MT/s) по шине Open NAND Flash Interface (ONFI), что на 33% выше, чем предыдущие 96- и 128-слойные разработки. Повышенная скорость ONFI позволит ускорить загрузку систем и производительность приложений. Например в автомобильных приложениях предложенная скорость обеспечивает почти мгновенное время отклика, как только запускаются двигатели.

176-слойная  3D NAND уже серийно производится на сингапурской фабрике Micron и теперь поставляется клиентам, в том числе в составе линейки потребительских твердотельных накопителей Crucial. Компания заявила, что намерена также представить новые продукты на основе этой технологии в 2021 году.

 

 

Источник